武汉理工考研(武汉理工考研分数线2023)




武汉理工考研,武汉理工考研分数线2023

热电材料在微芯片和5G光通信模块的主动冷却以及可穿戴电子设备和 “物联网 “传感器的小温度梯度发电方面大有可为。热电材料的热-电转换效率由无量纲功绩值(ZT)来评估,提高功率因数和减少κL是提高ZT值的关键策略。界面电荷转移在调整超晶格(SLs)的热电性能方面具有重要作用,然而,这一点很少通过实验得到澄清。

来自武汉理工大学的学者基于外延生长的p型(MnTe)x(Sb2Te3)y超晶格,通过引入界面电荷转移,实现了载流子密度、载流子迁移率和塞贝克系数等热电参数的协同优化,其中涉及空穴注入、调制掺杂和能量变化等影响。载流子传输测量和角度分辨光发射光谱(ARPES)表征显示,在SLs中,从MnTe层到Sb2Te3层有强烈的空穴注入,这源于MnTe和Sb2Te3之间的功函数差。通过将MnTe的厚度减少到单层以下,所有的电子传输参数在量子点(MnTe)x(Sb2Te3)12超晶格状薄片中得到了协同优化,导致热电功率因子(PFs)大大改善。(MnTe)0.1(Sb2Te3)12获得了最高的室温PF值2.50 mW m-1 K-2,而(MnTe)0.25(Sb2Te3)12在381 K时拥有最高的PF值2.79 mW m-1 K-2,明显优于在二元MnTe和Sb2Te3薄层中获得的值。这项研究为理解和合理地调整热电SL的界面电荷转移以进一步提高热电性能提供了宝贵的指导。相关文章以“Tailoring Interfacial Charge Transfer for Optimizing Thermoelectric Performances of MnTe-Sb2Te3 Superlattice-Like Films”标题发表在Advanced Functional Materials。

论文链接:

https://doi.org/10.1002/adfm.202210213

图1. (MnTe)x(Sb2Te3)ySLs和QD-SLs的示意图以及改进的热电传输。a,b), SLs和QD-SLs的结构和制备配方。c), MnTe(001)和Sb2Te3(00l)薄膜的紫外光电子能谱(UPS)光谱,插入部分显示了在截止能量附近的放大图。d), 室温下x≤1的QD-SLs的空穴密度p和载流子迁移率μ。e) QD-SLs的室温功率因数(PF)和最大值PFmax。

图2. (MnTe)1(Sb2Te3)ySLs的代表性RHEED和XRD图案:a)RHEED;b,c)θ-2θ曲线;d)ω曲线。

图3. (MnTe)1(Sb2Te3)6和(MnTe)0.25(Sb2Te3)12超晶格的HAADF-STEM图像和SAED图案。b,c),原子分辨率HAADF图像、(a)中白色矩形区域的放大图以及绿色矩形区域的高度剖面图。d-f), (MnTe)0.25(Sb2Te3)12的原子分辨率HAADF图像和相应的FFT图案。在(b)和(d-f)中,MnTe单层(由红色箭头和红色区域标记)和Sb2Te3五层(表示为QL)的替代堆叠是明显的,而1个MnTe单层(ML)(≈0.40纳米)加上1个QL Sb2Te3(≈1.00纳米)的厚度相当于1.42纳米。(f)中的插图描述了绿色矩形框的高度轮廓。MT和ST分别表示MnTe和Sb2Te3。晶体结构的模拟表明,Mn层的强度比Sb和Te层的强度要弱。

图4. (MnTe)1(Sb2Te3)ySLs沿K-Γ-K方向的ARPES光谱:a) EF随Sb2Te3厚度的变化;b) 本征Sb2Te3的ARPES光谱;c) 带弯曲图。所有的ARPES光谱都是在最上面的Sb2Te3层测量的。

图5. (MnTe)1(Sb2Te3)ySLs的电子传输特性的温度依赖性:a-c)低温度载流子传输;d-f)300-500K范围内的热电特性。

图6. (MnTe)x(Sb2Te3)12QD-SLs的电子传输特性的温度依赖性:a-c)低温度载流子传输;d-f)300-500K范围内的热电特性

图7. (MnTe)x(Sb2Te3)ySLs和QD-SLs中载流子传输的特点:a)p – μ关系;b)Pisarenko图;c)界面效应的示意图。

在这项工作中,通过 MBE 技术成功地制造了高结晶质量的( MnTe ) x ( Sb 2 Te 3 ) y SLs 和 QD-SLs 。结果表明,通过对界面电荷转移的合理操作,可以在制造的 QD-SLs 中实现 p 、 μ 、 S 和 PF 的协同优化。由于 MnTe 的功函数大于 Sb 2 Te 3 ,从 MnTe 到 Sb 2 Te 3 的定向空穴注入被创造出来,导致 MnTe-Sb 2 Te 3 SLs 和 QD-SLs 中的 p 增强超过一个数量级。根据 ARPES 光谱的结果,界面电荷转移也导致了带状弯曲,在 MnTe-Sb 2 Te 3 界面上出现了大的 φb≈245 meV ,这引入了能量变化效应和增加了 m* ,但大大恶化了 μ 。为了解决 φ b 对降低 SLs 中的 μ 的缺点,本研究制造了 MnTe-Sb 2 Te 3 QD-SLs ,并利用调制掺杂来优化所有载流子传输参数。结果表明,空穴注入、能量变化和调制掺杂导致 MnTe-Sb 2 Te 3 QD-SLs 的 PF 大大改善。这项工作提出了一种有效的策略,通过功函数二象性合理地调整热电 SLs 的界面电荷转移和载流子传输,证明热电 QD-SLs 有希望实现超高的热电性能。(文:SSC)

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